공부
SP(Surface Protection)와 ASD(Area Selective Deposition)의 적용 범위 사용 예시
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2025. 1. 10. 08:43
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SP(Surface Protection)와 ASD(Area Selective Deposition)의 적용 범위를 더 자세히 살펴보기
실제로 사용되는 구체적인 예시 확인
1. SP (Surface Protection)의 적용 범위와 예시
1-1. 포토리소그래피(Photolithography) 공정
- 적용: 웨이퍼의 표면에 포토레지스트(Photoresist)를 코팅하여 특정 영역만 노광(exposure)되도록 보호.
- 예시:
- DUV(Deep Ultraviolet) 리소그래피에서 웨이퍼를 보호하기 위해 포토레지스트를 사용하는 공정.
- EUV 리소그래피에서 민감한 웨이퍼 표면을 보호하고 패턴을 형성.
1-2. 식각(Etching) 공정
- 적용: 화학적 또는 물리적 식각 과정에서 웨이퍼의 불필요한 부분이 손상되지 않도록 보호.
- 예시:
- 플라즈마 식각에서 산화막 또는 질화막 층을 사용해 식각되지 않을 영역을 보호.
- DRAM 제조에서 웨이퍼의 데이터 저장 층 손상을 방지.
1-3. 기계적 손상 방지
- 적용: 웨이퍼 핸들링 중 긁힘(scratch)이나 마찰로 인한 손상을 방지.
- 예시:
- 웨이퍼 표면 보호용 임시 보호막(Temporary Bonding Film) 적용.
- 물리적 마찰이 많은 공정 중 임시 코팅재를 사용.
1-4. 박막 증착 및 박리 공정
- 적용: 특정 박막 증착 후 불필요한 영역의 박막을 제거하기 전까지 보호.
- 예시:
- Lift-off 공정에서 포토레지스트를 이용해 증착 재료가 특정 영역에만 남도록 하는 방법.
2. ASD (Area Selective Deposition)의 적용 범위와 예시
2-1. 초미세 배선 공정
- 적용: 특정 금속(예: 구리, 텅스텐)을 웨이퍼의 필요한 영역에만 선택적으로 증착하여 배선 형성.
- 예시:
- 3D NAND 플래시 메모리에서 금속 배선이 필요한 영역에만 선택적 증착.
- 로직 소자의 초미세 피치(Fine Pitch) 금속 배선 제작.
2-2. 나노구조 패턴 제작
- 적용: 특정 표면에서만 재료를 증착하여 나노 크기의 정밀한 구조 형성.
- 예시:
- 친수성(hydrophilic) 표면에만 물리적으로 증착이 이루어지고 소수성(hydrophobic) 표면에는 증착이 차단.
- 나노임프린트 리소그래피 공정에서 선택적 금속 증착으로 전도 경로 생성.
2-3. 이종 물질 접합(Heterostructure Integration)
- 적용: 서로 다른 물질(예: 금속과 반도체, 절연체)의 조합을 선택적으로 증착.
- 예시:
- FinFET 트랜지스터에서 게이트 영역에만 절연체 증착.
- 메모리 소자의 비휘발성 층(NVM, Non-Volatile Memory) 형성.
2-4. 디스플레이 패널 공정
- 적용: OLED 또는 QLED 패널에서 전극 물질을 선택적으로 증착.
- 예시:
- 디스플레이 패널의 TFT(Thin Film Transistor) 소자 제작 시 특정 전도성 물질을 활성층에만 증착.
적용 범위와 공정의 비교
공정 단계SP 적용 예시ASD 적용 예시
| 표면 보호 | 포토레지스트로 식각 공정 보호 | 특정 영역의 증착 방지 |
| 배선 형성 | 보호막으로 불필요한 금속 침착 방지 | 금속 배선을 필요한 위치에 선택적 증착 |
| 나노 패턴 형성 | 물리적 보호를 위한 코팅 | 나노구조 형성을 위한 선택적 증착 |
| 이종 물질 통합 | 임시 보호층을 사용해 물질 분리 | 물질별로 선택적 증착 |
SP와 ASD는 반도체 제조 공정에서 서로 상호 보완적으로 사용되며, 공정의 정밀도와 효율성을 극대화하는 데 필수적
SP는 물리적/화학적 보호에 중점을 두고,
ASD(Area Selective Deposition)는 정밀한 물질 배치를 위한 공정으로 주로 사용
ALD(Atomic Layer Deposition)의 특징을 활용하여 구획별로 서로 다른 층의 두께를 형성하는 기술을 ASD라 한다.
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