반도체 공정 공부 SP(Surface Protection)/ASD(Area Selective Deposition)

반도체 공정에서 SP(Surface Protection)와 ASD(Area Selective Deposition)는 각각 다른 목적과 역할을 가진 개념입니다.

정리

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1. SP (Surface Protection)

• 목적: 반도체 웨이퍼의 특정 영역을 보호하여 물리적, 화학적 손상을 방지.
• 주요 역할:
  • 공정 중 웨이퍼의 표면이 오염, 흠집, 또는 불필요한 화학반응으로부터 손상되지 않도록 보호.
  • 포토리소그래피 공정에서 보호막 역할을 수행.
• 활용 사례:
  • 웨이퍼 표면 보호를 위해 코팅재나 필름을 사용하는 공정.
  • 특정 영역에 화학적 처리나 플라즈마 공정이 진행될 때, 보호가 필요한 부분을 SP로 차단.

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2. ASD (Area Selective Deposition)

• 목적: 특정 영역에만 선택적으로 증착(deposition)을 진행하여 재료를 정밀하게 배치.
• 주요 역할:
  • 특정 재료(예: 금속, 절연체, 반도체)를 선택된 표면에만 증착하도록 제어.
  • 불필요한 영역에 증착이 발생하지 않도록 하여 공정 효율성과 정확성을 높임.
• 작동 원리:
  • 표면의 화학적 또는 물리적 특성을 조작하여 선택적 증착을 유도.
  • 예: 친화성 표면에는 증착이 잘 일어나고, 비친화성 표면에는 증착이 일어나지 않음.
• 활용 사례:
  • 차세대 반도체 소자의 초미세 패턴 형성.
  • 금속 배선 공정에서 특정 영역에만 도체 증착.
  • 나노구조의 정밀 제작.

ASD는 이종 기판 위에 새로운 물질이 증착될 때, 결정핵생성(Nucleation) 시간차가 벌어지는 현상을 활용한다. /자료=세미콘엔지니어링 출처 : KIPOST(키포스트)(https://www.kipost.net)

주요 차이점 비교

	SP (Surface Protection)	ASD (Area Selective Deposition)
목적	표면 보호	특정 영역에만 증착
주요 역할	물리적·화학적 손상 방지	정밀한 재료 증착
작동 방식	보호 코팅, 필름	표면 화학 특성 조작
적용 공정	웨이퍼 핸들링, 포토리소그래피	초미세 패턴 제작, 배선 형성

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이 두 가지는 각각 반도체 제조 공정의 정밀도와 품질을 높이기 위해 필수적인 요소로, 역할과 적용 범위가 명확히 구분된다.

 

SP는 물리적 화학적 보호에 중점을 두는 반면에

ASD는 미세 공정을 위한 수단이라고 보는게 맞을것 같군